Samsung, Çin’de düzenlenen Küresel Bellek İnovasyon Forumu’nda (GMIF 2026) yeni nesil bellek ve depolama teknolojilerini tanıttı. Şirketin sergilediği ürünler arasında 256 TB kapasiteli kurumsal SSD ve 400’den fazla katmana ulaşan yeni V-NAND mimarisi öne çıktı. Yeni teknolojiler, özellikle yapay zekâ veri merkezlerinin artan depolama ve bellek ihtiyaçlarını karşılamayı hedefliyor.
Samsung Memory China Başkan Yardımcısı ve Teknoloji Direktörü Kevin Yoon, etkinlikte yaptığı konuşmada otonom yapay zekâ sistemleri ve birden fazla ajanı aynı anda çalıştıran modellerin mevcut bellek mimarilerini değiştirdiğini vurguladı. Şirket de bu dönüşüme yanıt olarak daha yüksek kapasite, veri aktarım hızı ve yoğunluk sunan çözümler üzerinde çalışıyor.
Samsung’un 256 TB kapasiteli SSD’si
Samsung’un tanıttığı kurumsal depolama ürünlerinden biri, BM1773 kod adlı 256 TB kapasiteli SSD oldu. Yüksek yoğunluklu QLC NAND teknolojisini kullanan model, büyük miktarda veriyi sınırlı fiziksel alanda depolamak üzere tasarlandı.
Bu kapasite, özellikle yapay zekâ modellerinin eğitildiği ve çalıştırıldığı veri merkezleri için önem taşıyor. Büyük veri kümeleri, model ağırlıkları ve uygulama verileri daha fazla depolama alanı gerektirirken yüksek kapasiteli SSD’ler, sunucu başına daha fazla verinin saklanmasına yardımcı olabiliyor.
Samsung, BM1773’ü dünyanın en küçük 256 TB kurumsal SSD’si olarak tanımlıyor. Ancak şirketin açıklamasında bu ifadenin hangi fiziksel ölçütlere göre kullanıldığına ilişkin ayrıntılı karşılaştırma bilgileri paylaşılmadı.
PCIe Gen6 destekli PM1763 geliyor
Etkinlikte tanıtılan bir diğer ürün ise Samsung PM1763 oldu. PCIe Gen6 arayüzünü kullanan bu kurumsal SSD, yüksek performans gerektiren veri merkezi uygulamalarına odaklanıyor.
Modelin örneklerinin 2026’nın sonlarına doğru sunulmaya başlanması planlanıyor. PCIe Gen6 teknolojisi, önceki nesillere kıyasla daha yüksek veri aktarım bant genişliği sağlayarak yoğun veri trafiğiyle çalışan sistemlerin performansını artırmayı amaçlıyor.
Bu tür depolama çözümleri, özellikle GPU’ların büyük veri kümelerine eriştiği yapay zekâ altyapılarında işlemcilerin veri beklerken zaman kaybetmesini azaltmaya yardımcı olabilir.
400’den fazla katmana sahip V-NAND
Samsung’un duyurularındaki bir diğer önemli gelişme, 400’ün üzerinde katmana ulaşan V-NAND mimarisi oldu. Şirketin V10 BV-NAND olarak adlandırdığı bu yapı, dikey istifleme ve bağlama teknolojilerinden yararlanıyor.
Samsung’un paylaştığı bilgilere göre yeni mimari, önceki nesle kıyasla bit yoğunluğunu yaklaşık yüzde 60 artırıyor. Daha yüksek yoğunluk, aynı fiziksel alanda daha fazla veri depolanmasını sağlayarak kapasiteyi artırma ve birim depolama maliyetini düşürme potansiyeli taşıyor.
NAND hücrelerinin dikey olarak daha fazla katmanda bir araya getirilmesi, üreticilerin yüksek kapasiteli SSD’leri daha kompakt tasarımlarla geliştirmesine yardımcı oluyor. Bu yaklaşım, özellikle veri merkezlerinde enerji tüketimi ve fiziksel alan maliyetlerinin önem kazandığı bir dönemde öne çıkıyor.
zNAND-O ile bellek yoğunluğu artacak
Samsung, uç cihazlara yönelik zNAND-O mimarisini de sergiledi. Bu teknolojide bellek, UCIe arayüzü üzerinden işlem birimleriyle aynı paket içerisinde bir araya getirilebiliyor.
Şirket, zNAND-O’nun standart DRAM’e kıyasla 10 kat daha yüksek bit yoğunluğu ve daha verimli okuma performansı sunmayı hedeflediğini belirtiyor. Böyle bir mimari, işlemci ile bellek arasındaki veri erişimini yeniden düzenleyerek belirli yapay zekâ ve uç bilişim uygulamalarında avantaj sağlayabilir.
Bununla birlikte, açıklanan yoğunluk ve performans kazanımlarının hangi kullanım senaryolarında elde edileceği ve ürünlerin ne zaman yaygınlaşacağı konusunda daha fazla teknik ayrıntıya ihtiyaç var.
Yapay zekâ veri merkezleri için yeni dönem
Samsung’un GMIF 2026’da tanıttığı çözümler, yapay zekâ sistemlerinde yalnızca işlem gücünün değil, bellek kapasitesi ve veri aktarım hızının da giderek daha önemli hale geldiğini gösteriyor.
256 TB SSD’ler daha fazla verinin daha az fiziksel alanda tutulmasını sağlarken yeni NAND mimarileri depolama yoğunluğunu artırmayı hedefliyor. PCIe Gen6 ve UCIe gibi teknolojiler ise bileşenler arasındaki veri aktarımını hızlandırmak için kullanılıyor.
Samsung, etkinlikte bu çalışmalarıyla yapay zekâ bellek ve depolama alanındaki liderliğini öne çıkaran bir ödül de aldı. Yeni ürünlerin gerçek dünyadaki performansı, maliyeti ve yaygınlaşma takvimi netleştikçe, bu teknolojilerin veri merkezi altyapılarına sağlayacağı katkı daha iyi anlaşılacak.
